โพสต์มีรายละเอียดเกี่ยวกับแผ่นข้อมูลข้อกำหนดการกำหนดค่าพินเอาต์และวงจรแอปพลิเคชันบางส่วนสำหรับ IC IRS2153 ซึ่งเป็น IC แบบครึ่งสะพานจาก Texas Instruments คุณลักษณะเฉพาะของไดรเวอร์ฮาล์ฟบริดจ์นี้คือไม่ต้องขึ้นอยู่กับแหล่งตรรกะภายนอกสำหรับการดำเนินการ แต่อนุญาตให้กำหนดค่าออสซิลเลเตอร์ของตัวเองผ่านเครือข่าย RC ที่เรียบง่าย

IC IRS2153 (1) D ซึ่งโดยพื้นฐานแล้วเป็นชิปขับมอสเฟ็ทแบบครึ่งบริดจ์สามารถใช้งานได้จริงสำหรับแอพพลิเคชั่นวงจรที่น่าสนใจต่างๆเช่นบูสต์คอนเวอร์เตอร์อินเวอร์เตอร์ขนาดกะทัดรัดพลังงานแสงอาทิตย์และหากสองตัวนั้นเชื่อมต่อกันสามารถกำหนดค่าได้ วงจรขับมอสเฟ็ทบริดจ์แบบเต็ม มาเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ที่น่าสนใจนี้

ข้อกำหนดทางไฟฟ้าหลัก

ก่อนที่เราจะพูดถึงการใช้งานที่เป็นไปได้ของชิปนี้เรามาเรียนรู้คุณสมบัติหลักบางประการก่อน:

ชิปได้รับการออกแบบให้ทนต่อและทำงานกับแรงดันไฟฟ้าที่สูงถึง 600V DC (15.4 V Zener clamp บน VCC)
ประกอบด้วยวงจรออสซิลเลเตอร์ในตัวภายในที่มีรอบการทำงานคงที่ 50% ในขณะที่ความถี่สามารถกำหนดได้จากส่วนประกอบ R / C ภายนอกสองตัว (CT, RT ออสซิลเลเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้)
ประกอบด้วยเครือข่ายไดรเวอร์ด้านข้างสูงในตัวซึ่งช่วยให้สามารถนำมอสเฟ็ทด้านสูง (มอสเฟ็ตด้านบน) มาใช้พร้อมกับแรงดันเกตที่จำเป็นสำหรับบูทรัด
อนุญาตให้บังคับใช้คุณลักษณะการปิดเครื่องภายนอกได้เพียงแค่เพิ่มระยะทรานซิสเตอร์เพิ่มเติมด้วย IC (การปิดเครื่องแบบไม่ใช้สลักบนขา CT (1 / 6th VCC) คุณสมบัตินี้มีประโยชน์มากสำหรับแอปพลิเคชันที่มีการควบคุมกระแสหรือแรงดันไฟฟ้าอัตโนมัติ เป็นสิ่งสำคัญ
ชิปยังมีคุณสมบัติการเริ่มต้นใช้งาน Micropower ซึ่งรับประกันการเริ่มต้นใช้งานได้แม้ในสภาวะแรงดันและกระแสที่ค่อนข้างน้อย
คุณลักษณะเวลาตายภายในช่วยให้มั่นใจได้ถึงการแยกระหว่างเอาต์พุตสำหรับการดำเนินการพิสูจน์ความล้มเหลวอย่างสมบูรณ์แบบ
pinouts ทั้งหมดได้รับการป้องกัน ESD ภายในเพื่อป้องกันชิปจากแรงดันไฟฟ้าสถิตย์ระหว่างบรรจุภัณฑ์และการจัดการ

การกำหนดค่าวงจรพื้นฐานของ IC

การทำความเข้าใจ Pinouts ของ IC ไดรเวอร์ Half-Bridge IRS2153 (1) D

รูปด้านบนแสดงการกำหนดค่าวงจรมาตรฐานของ IC ครึ่งสะพานที่เสนอ ฟังก์ชัน pinout สามารถเข้าใจได้ดังนี้:

Pin # 1 คือ Vcc ของ IC และถูกยึดไว้ภายในที่ 15.4V เพื่อป้องกัน IC จากแรงดันไฟฟ้าที่สูง

เครือข่าย RC ที่ทำจาก RVCC และ CVCC มีฟังก์ชั่นที่สำคัญสองอย่างคือตัวต้านทานจะควบคุมกระแสไฟฟ้าไปยังซีเนอร์ภายในในขณะที่ตัวเก็บประจุให้ความล่าช้าในการเริ่มต้นกับชิปเพื่อให้เอาต์พุตสามารถเริ่มต้นด้วยตรรกะศูนย์จนกว่าจะมีการสร้าง - ในออสซิลเลเตอร์เริ่มสั่น

“สัญลักษณ์นี้แสดงถึงองค์ประกอบใดในวงจร ”

ตัวต้านทาน Rt และ Ct ข้ามพิน # 2,3,4 คือเครือข่าย RC ภายนอกซึ่งกำหนดความถี่ของออสซิลเลเตอร์ (รอบการทำงานถูกกำหนดไว้ที่ 50% ภายใน)

สามารถใช้สูตรต่อไปนี้เพื่อกำหนดความถี่ของออสซิลเลเตอร์:

f = 1 / 1.453 × Rt x Ct

Pin # 4 คือขั้วกราวด์ของ IC

“บริษัทโทรศัพท์ใช้ประโยชน์จากมัลติเพล็กซิ่งประเภทใด ”

พิน # 7 และพิน # 5 คือเอาต์พุตด้านสูงและต่ำของ IC ซึ่งหมายถึงพิน # 7 ขับเคลื่อน mosfet ซึ่งเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าในขณะที่พิน # 5 ทำหน้าที่ขับเคลื่อน mosfet ที่เชื่อมต่อกับรางกราวด์

Pin # 8 ถูกยกเลิกด้วยตัวเก็บประจุ Cboot ซึ่งทำให้มั่นใจได้ว่า HO และ LO จะไม่ทำงานร่วมกันและยังเพิ่มขั้นตอนที่จำเป็น แรงดันไฟฟ้า bootstrapped สำหรับ HO pinout ของ IC

หมายเหตุการใช้งาน :

แอปพลิเคชันหลักของ IC นี้วนเวียนอยู่รอบ ๆ อินเวอร์เตอร์และโทโพโลยีตัวแปลง

การออกแบบแอปพลิเคชันอินเวอร์เตอร์มาตรฐานหนึ่งรายการสามารถดูได้จากแผนภาพด้านล่าง:

การออกแบบอินเวอร์เตอร์ที่เรียบง่ายที่แสดงด้านบนโดยใช้ IC IRS2153 สามารถใช้สำหรับการขับหลอดไฟ CFL หลักจากอุปกรณ์สิ้นเปลือง 12V

ที่นี่คุณลักษณะ Cboot ถูกตัดออกเนื่องจากการกำหนดค่าเป็นอินเวอร์เตอร์ชนิดก๊อกกลางธรรมดาซึ่งไม่เรียกหาแหล่งจ่ายไฟแบบรัดบูตเนื่องจากไม่มีเครือข่าย mosfet ด้านสูงที่นี่

หม้อแปลงอาจพันทับกับชุดประกอบเฟอร์ไรต์ชนิด E-core ขนาด 27 มม. ตามที่แสดงด้านล่าง