ภาพรวมเกี่ยวกับไดโอดประเภทต่างๆและการใช้งาน

ไดโอดเป็นอุปกรณ์ไฟฟ้าสองขั้วที่อนุญาตให้ถ่ายโอนกระแสได้เพียงทิศทางเดียว ไดโอดเป็นที่รู้จักกันในคุณสมบัติของกระแสทิศทางเดียวซึ่งกระแสไฟฟ้าได้รับอนุญาตให้ไหลไปในทิศทางเดียว โดยทั่วไปจะใช้ไดโอดสำหรับแก้ไขรูปคลื่นภายในเครื่องตรวจจับวิทยุหรือภายใน แหล่งจ่ายไฟ . นอกจากนี้ยังสามารถใช้ในวงจรไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆที่ต้องการผลลัพธ์ 'ทางเดียว' ของไดโอด ไดโอดส่วนใหญ่ทำจากสารกึ่งตัวนำเช่น Si (ซิลิกอน) แต่ในบางกรณีก็ใช้ Ge (เจอร์เมเนียม) เช่นกัน ในบางครั้งการสรุปไฟล์ มีไดโอดประเภทต่างๆ . บางประเภทอาจทับซ้อนกัน แต่คำจำกัดความต่างๆอาจเป็นประโยชน์ในการ จำกัด ฟิลด์ให้แคบลงและเสนอภาพรวมของไดโอดประเภทต่างๆ

ไดโอดประเภทต่างๆคืออะไร?

ไดโอดมีหลายประเภทและมีให้เลือกใช้ในการออกแบบอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ได้แก่ ไดโอดย้อนกลับ, ไดโอด BARRITT, กันน์ไดโอด, ไดโอดเลเซอร์, ไดโอดเปล่งแสง, ไดโอดเจือทอง , ไดโอดคริสตัล , ชุมทาง PN, ไดโอด Shockley , ไดโอดกู้คืนขั้นตอน, ไดโอดอุโมงค์, ไดโอด Varactor และซีเนอร์ไดโอด

ประเภทของไดโอด

คำอธิบายโดยละเอียดของไดโอด

ให้เราพูดคุยในรายละเอียดเกี่ยวกับ หลักการทำงานของไดโอด

ไดโอดถอยหลัง

ไดโอดประเภทนี้เรียกอีกอย่างว่าไดโอดด้านหลังและไม่มีการนำไปใช้อย่างมาก ไดโอดย้อนกลับคือไดโอดทางแยก PN ที่มีการทำงานคล้ายกับไดโอดอุโมงค์ สถานการณ์จำลองของอุโมงค์ควอนตัมถือเป็นความรับผิดชอบที่สำคัญในการนำกระแสของเส้นทางย้อนกลับเป็นหลัก ด้วยภาพวงพลังงานการทำงานที่แน่นอนของไดโอดสามารถทราบได้

การทำงานของ Backward Diode

วงดนตรีที่อยู่ในระดับบนสุดเรียกว่าแถบการนำไฟฟ้าในขณะที่วงดนตรีระดับล่างเรียกว่าวงความจุ เมื่อมีการใช้พลังงานกับอิเล็กตรอนพวกมันมักจะได้รับพลังงานและเคลื่อนที่ไปยังแถบการนำไฟฟ้า เมื่ออิเล็กตรอนเข้าจากวาเลนซีไปยังแถบการนำไฟฟ้าสถานที่ของพวกมันในวงวาเลนซีจะเหลือรู

ในสภาวะที่ไม่มีน้ำหนักเป็นศูนย์วงวาเลนซีที่ถูกยึดจะอยู่ตรงข้ามกับแถบการนำไฟฟ้าที่ถูกยึดครอง ในขณะที่เงื่อนไขอคติย้อนกลับ P-region มีการเคลื่อนที่ไปทางกลับหัวที่สอดคล้องกับ N-region ตอนนี้วงดนตรีที่ถูกครอบครองในส่วน P นั้นตรงกันข้ามกับวงว่างที่ส่วน N ดังนั้นอิเล็กตรอนจึงเริ่มออกอุโมงค์จากวงดนตรีที่ถูกยึดครองในส่วน P ไปยังแถบที่ว่างในส่วน N

ดังนั้นนี่หมายความว่ากระแสที่เกิดขึ้นในการให้น้ำหนักย้อนกลับด้วย ในสภาวะอคติไปข้างหน้า N-region มีการเคลื่อนที่ไปทางกลับหัวที่สอดคล้องกับ P-region ตอนนี้วงดนตรีที่ถูกครอบครองในส่วน N นั้นตรงกันข้ามกับวงดนตรีว่างที่ P-section ดังนั้นอิเล็กตรอนจึงเริ่มออกอุโมงค์จากแถบที่ถูกครอบครองในส่วน N ไปยังวงว่างใน P-section

ในไดโอดประเภทนี้พื้นที่ความต้านทานเชิงลบจะเกิดขึ้นและส่วนใหญ่ใช้สำหรับการทำงานของไดโอด

ไดโอดถอยหลัง

BARITT ไดโอด

ระยะขยายของไดโอดนี้คือ Barrier Injection Transit Time diode นั่นคือ BARITT diode สามารถใช้ได้กับการใช้งานไมโครเวฟและช่วยให้สามารถเปรียบเทียบกับไดโอด IMPATT ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายมากขึ้น ลิงค์นี้แสดงคำอธิบายที่ชัดเจนว่าไฟล์ BARRITT ไดโอด และการทำงานและการนำไปใช้งาน

กันน์ไดโอด

Gunn diode เป็นไดโอดทางแยก PN ไดโอดประเภทนี้เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีสองขั้ว โดยทั่วไปจะใช้สำหรับผลิตสัญญาณไมโครเวฟ โปรดดูลิงค์ด้านล่างสำหรับ กันน์ไดโอดทำงาน , ลักษณะและการใช้งาน

กันน์ไดโอด

เลเซอร์ไดโอด

เลเซอร์ไดโอดไม่มีกระบวนการที่คล้ายคลึงกับ LED ธรรมดา (ไดโอดเปล่งแสง) เนื่องจากผลิตแสงที่สอดคล้องกัน ไดโอดเหล่านี้ถูกนำไปใช้อย่างกว้างขวางเพื่อวัตถุประสงค์ต่างๆเช่นดีวีดีไดรฟ์ซีดีและตัวชี้แสงเลเซอร์สำหรับ PPT แม้ว่าไดโอดเหล่านี้จะมีราคาไม่แพงกว่าเครื่องกำเนิดเลเซอร์ประเภทอื่น แต่ก็มีราคาแพงกว่า LED หลายเท่า พวกเขายังมีชีวิตบางส่วน

เลเซอร์ไดโอด

ไดโอดเปล่งแสง

คำว่า LED ย่อมาจาก light-emitting diode เป็นไดโอดประเภทมาตรฐานที่สุดชนิดหนึ่ง เมื่อเชื่อมต่อไดโอดในการส่งต่อไบแอสกระแสจะไหลผ่านทางแยกและสร้างแสง นอกจากนี้ยังมีการพัฒนา LED ใหม่ ๆ อีกมากมายที่เปลี่ยนแปลงไป ได้แก่ LED และ OLED หนึ่งในแนวคิดหลักที่ควรทราบเกี่ยวกับ LED คือลักษณะ IV ให้เราดูลักษณะของ LED โดยละเอียด

ลักษณะของไดโอดเปล่งแสง

ก่อนที่ LED จะเปล่งแสงจำเป็นต้องมีการไหลของกระแสผ่านไดโอดเนื่องจากเป็นไดโอดตามกระแส ที่นี่ปริมาณความเข้มของแสงมีสัดส่วนโดยตรงกับทิศทางไปข้างหน้าของกระแสที่ไหลผ่านไดโอด

เมื่อไดโอดนำกระแสในอคติไปข้างหน้าจะต้องมีตัวต้านทานอนุกรม จำกัด กระแสเพื่อป้องกันไดโอดจากการไหลเพิ่มเติมของกระแส ต้องสังเกตว่าจะต้องไม่มีการเชื่อมต่อโดยตรงระหว่างแหล่งจ่ายไฟกับ LED ซึ่งจะทำให้เกิดความเสียหายทันทีเนื่องจากการเชื่อมต่อนี้อนุญาตให้มีการไหลของกระแสมากเกินไปและทำให้อุปกรณ์ไหม้ได้

LED ทำงาน

อุปกรณ์ LED ทุกประเภทมีการสูญเสียแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของตัวเองผ่านทางแยก PN และข้อ จำกัด นี้ทราบตามประเภทของเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ สิ่งนี้กำหนดปริมาณแรงดันตกสำหรับปริมาณกระแสส่งต่อที่สอดคล้องกันโดยทั่วไปสำหรับค่าปัจจุบัน 20mA

ในสถานการณ์ส่วนใหญ่ฟังก์ชั่นของ LED จากระดับแรงดันไฟฟ้าต่ำสุดที่มีตัวต้านทานในการเชื่อมต่อแบบอนุกรม Rs ถูกนำมาใช้เพื่อ จำกัด ปริมาณกระแสไปข้างหน้าให้อยู่ในระดับที่มีการป้องกันซึ่งโดยทั่วไปคือ 5mA ถึง 30mA เมื่อมีความต้องการของความสว่างที่เพิ่มขึ้น .

LED หลายดวงสร้างแสงในบริเวณที่สอดคล้องกันของสเปกตรัม UV ดังนั้นจึงสร้างความเข้มของแสงในระดับที่แตกต่างกัน การเลือกเฉพาะของเซมิคอนดักเตอร์สามารถทราบได้จากความยาวคลื่นทั้งหมดของการปล่อยโฟตอนและแสงที่เกิดขึ้น สีของ LED มีดังนี้:

ดังนั้นสีที่แน่นอนของ LED จึงทราบได้จากระยะทางของความยาวคลื่นที่ปล่อยออกมา และความยาวคลื่นเป็นที่รู้กันโดยองค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์เฉพาะที่ใช้ในจุดเชื่อมต่อ PN ในช่วงเวลาของกระบวนการผลิต ดังนั้นจึงเห็นได้ชัดว่าสีที่ปล่อยแสงจาก LED ไม่ได้เป็นเพราะพลาสติกหุ้มที่ใช้ แต่ยังช่วยเพิ่มความสว่างของแสงเมื่อไม่ได้รับแสงสว่างจากแหล่งจ่ายกระแส ด้วยการรวมกันของสารกึ่งตัวนำก๊าซและโลหะต่างๆทำให้สามารถสร้าง LED ด้านล่างได้ซึ่ง ได้แก่ :

• Gallium Arsenide (GaAs) ซึ่งเป็นอินฟาเรด
• Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) มีตั้งแต่สีแดงไปจนถึงอินฟาเรดและสีส้ม
• อะลูมิเนียมแกลเลียม Arsenide Phosphide (AlGaAsP) ซึ่งเพิ่มสีแดงสดสีส้มสีแดงสีส้มและสีเหลือง
• แกลเลียมฟอสฟอรัส (GaP) มีสีแดงเหลืองและเขียว
• อลูมิเนียมแกลเลียมฟอสไฟด์ (AlGaP) - ส่วนใหญ่เป็นสีเขียว
• แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ซึ่งมีอยู่ในสีเขียวและสีเขียวมรกต
• แกลเลียมอินเดียมไนไตรด์ (GaInN) ใกล้กับอัลตราไวโอเลตสีผสมของสีน้ำเงินและสีเขียวและสีน้ำเงิน
• ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีให้เลือกเป็นสีน้ำเงินเป็นสารตั้งต้น
• Zinc Selenide (ZnSe) มีสีฟ้า
• อะลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ (AlGaN) ซึ่งเป็นรังสีอัลตราไวโอเลต

โฟโตไดโอด

โฟโตไดโอดใช้ในการตรวจจับแสง พบว่าเมื่อแสงกระทบกับทางแยก PN สามารถสร้างอิเล็กตรอนและโฮลได้ โดยปกติโฟโตไดโอดจะทำงานภายใต้สภาวะอคติย้อนกลับซึ่งสามารถสังเกตเห็นการไหลของกระแสที่เกิดจากแสงได้เพียงเล็กน้อย ไดโอดเหล่านี้สามารถใช้ในการผลิตไฟฟ้าได้ด้วย

โฟโต้ไดโอด

PIN Diode

ไดโอดประเภทนี้โดดเด่นด้วยโครงสร้าง มีพื้นที่มาตรฐานชนิด P และชนิด N แต่พื้นที่ระหว่างสองภูมิภาคคือเซมิคอนดักเตอร์ภายในไม่มีการเจือปน ขอบเขตของเซมิคอนดักเตอร์ภายในมีผลในการเพิ่มพื้นที่ของบริเวณการพร่องซึ่งอาจเป็นประโยชน์สำหรับการสลับแอปพลิเคชัน

PIN Diode

ผู้ให้บริการประจุลบและบวกจากบริเวณ N และ P-type มีการเคลื่อนที่ไปยังบริเวณภายใน เมื่อพื้นที่นี้เต็มไปด้วยอิเล็กตรอน - โฮลไดโอดจะเริ่มดำเนินการ ในขณะที่อยู่ในสภาพไบแอสย้อนกลับชั้นภายในกว้าง ๆ ในไดโอดอาจป้องกันและรับระดับแรงดันไฟฟ้าสูง

ในระดับความถี่ที่เพิ่มขึ้นไดโอด PIN จะทำหน้าที่เป็นตัวต้านทานเชิงเส้น มันทำหน้าที่เป็นตัวต้านทานเชิงเส้นเนื่องจากไดโอดนี้มี เวลาในการกู้คืนย้อนกลับไม่เพียงพอ . นี่คือสาเหตุที่พื้นที่“ I” ที่มีประจุไฟฟ้ามากจะไม่มีเวลาเพียงพอที่จะคายประจุออกในช่วงเวลาที่มีการหมุนเวียนอย่างรวดเร็ว และในระดับความถี่ต่ำสุดไดโอดจะทำงานเป็นไดโอดเรียงกระแสซึ่งมีเวลาเพียงพอสำหรับการคายประจุและปิดเครื่อง

PN Junction Diode

ทางแยก PN มาตรฐานอาจถูกมองว่าเป็นไดโอดชนิดปกติหรือมาตรฐานที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน นี่คือไดโอดประเภทต่างๆที่โดดเด่นที่สุดที่อยู่ในโดเมนไฟฟ้า แต่สามารถใช้ไดโอดเหล่านี้เป็นสัญญาณขนาดเล็กเพื่อใช้ใน RF (ความถี่วิทยุ) หรือแอพพลิเคชั่นกระแสต่ำอื่น ๆ ซึ่งอาจเรียกว่าไดโอดสัญญาณ อาจมีการวางแผนประเภทอื่น ๆ สำหรับการใช้งานไฟฟ้าแรงสูงและกระแสสูงและโดยปกติจะมีชื่อว่าไดโอดเรียงกระแส ในไดโอดทางแยก PN จะต้องไม่มีเงื่อนไขการให้น้ำหนัก เงื่อนไขการให้น้ำหนักส่วนใหญ่มีสามเงื่อนไขและขึ้นอยู่กับระดับแรงดันไฟฟ้าที่ใช้

• อคติไปข้างหน้า - ที่นี่ขั้วบวกและขั้วลบเชื่อมต่อกับชนิด P และ N ของไดโอด
• อคติย้อนกลับ - ที่นี่ขั้วบวกและขั้วลบเชื่อมต่อกับประเภท N และ P ของไดโอด
• Zero bias - สิ่งนี้เรียกว่าอคติ '0' เนื่องจากไม่มีแรงดันไฟฟ้าภายนอกที่ใช้กับไดโอด

ส่งต่ออคติของ PN Junction Diode

ในสภาวะอคติไปข้างหน้าจุดเชื่อมต่อ PN ได้รับการพัฒนาเมื่อเชื่อมต่อขอบขั้วบวกและขั้วลบของแบตเตอรี่กับชนิด P และ N เมื่อไดโอดทำหน้าที่ในการส่งต่ออคติสนามไฟฟ้าภายในและสนามไฟฟ้าที่ใช้ที่ทางแยกจะอยู่ในเส้นทางตรงกันข้าม เมื่อรวมสนามไฟฟ้าเหล่านี้แล้วระดับขนาดของเอาต์พุตที่ตามมาจะน้อยกว่าสนามไฟฟ้าที่ใช้

Forward Bias ใน PN Junction ประเภทของไดโอด

การเชื่อมต่อนี้ส่งผลให้พา ธ ตัวต้านทานน้อยที่สุดและพื้นที่พร่องที่บางลง ความต้านทานของพื้นที่พร่องจะน้อยลงมากขึ้นเมื่อค่าของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้มากขึ้น ตัวอย่างเช่นในเซมิคอนดักเตอร์ซิลิกอนเมื่อค่าแรงดันไฟฟ้าที่ใช้คือ 0.6V ค่าความต้านทานของชั้นพร่องจะกลายเป็นเล็กน้อยโดยสิ้นเชิงและจะมีการไหลของกระแสที่ไม่มีสิ่งกีดขวาง

Reverse Bias ของ PN Junction Diode

ที่นี่การเชื่อมต่อคือขอบขั้วบวกและขั้วลบของแบตเตอรี่เชื่อมต่อกับพื้นที่ประเภท N และประเภท P ซึ่งจะสร้างทางแยก PN แบบเอนเอียงแบบย้อนกลับ ในสถานการณ์เช่นนี้ใช้และสนามไฟฟ้าภายในอยู่ในทิศทางที่คล้ายกัน เมื่อรวมสนามไฟฟ้าทั้งสองแล้วเส้นทางของสนามไฟฟ้าที่เป็นผลลัพธ์จะคล้ายกับเส้นทางสนามไฟฟ้าภายใน สิ่งนี้พัฒนาบริเวณการพร่องตัวต้านทานที่หนาขึ้นและเพิ่มขึ้น พื้นที่พร่องจะมีความไวและความหนามากขึ้นเมื่อระดับแรงดันไฟฟ้าที่ใช้มากขึ้นเรื่อย ๆ

Reverse Bias ใน PN Junction ประเภทของไดโอด

ลักษณะ V-I ของ PN Junction Diode

นอกจากนี้สิ่งสำคัญยิ่งกว่าที่จะต้องทราบถึงลักษณะ V-I ของไดโอดทางแยก PN

เมื่อไดโอดทำงานภายใต้สภาวะไบแอส '0' ซึ่งหมายความว่าไม่มีการใช้แรงดันไฟฟ้าภายนอกกับไดโอด นี่หมายความว่าอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้น จำกัด การไหลของกระแส

ในขณะที่เมื่อไดโอดทำงานในเงื่อนไขการส่งต่อจะมีอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นได้บางลง ในไดโอดประเภทซิลิโคนเมื่อค่าแรงดันไฟฟ้าเท่ากับ 0.7V และในไดโอดประเภทเจอร์เมเนียมเมื่อค่าแรงดันไฟฟ้าเท่ากับ 0.3V ความกว้างของอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นจะลดลงและทำให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านไดโอด

ลักษณะ VI ใน PN Junction Diode

ในสิ่งนี้จะมีการเพิ่มขึ้นทีละน้อยในค่าปัจจุบันและเส้นโค้งผลลัพธ์จะไม่เป็นเชิงเส้นเนื่องจากระดับแรงดันไฟฟ้าที่ใช้เกินกว่าอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้น เมื่อไดโอดอยู่เหนืออุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นนี้ไดโอดจะทำงานในสภาพปกติและรูปร่างของเส้นโค้งจะค่อยๆคมขึ้น (กลายเป็นรูปร่างเชิงเส้น) พร้อมกับการเพิ่มขึ้นของค่าแรงดันไฟฟ้า

เมื่อไดโอดทำงานในสภาพไบแอสย้อนกลับจะมีอุปสรรคเพิ่มขึ้น เนื่องจากจะมีการปรากฏตัวของผู้ให้บริการประจุของชนกลุ่มน้อยในทางแยกสิ่งนี้จึงช่วยให้การไหลของกระแสอิ่มตัวย้อนกลับ เมื่อมีระดับแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นผู้ให้บริการประจุไฟฟ้าส่วนน้อยจะมีพลังงานจลน์เพิ่มขึ้นซึ่งแสดงผลกระทบต่อตัวพาประจุส่วนใหญ่ ในขั้นตอนนี้การสลายไดโอดจะเกิดขึ้นและอาจทำให้ไดโอดเสียหาย

ชอตกี้ไดโอด

ไดโอด Schottky มีแรงดันตกไปข้างหน้าต่ำกว่าไดโอด Si PN-junction ธรรมดา ที่กระแสไฟต่ำแรงดันตกอาจอยู่ระหว่าง 0.15 และ 0.4 โวลต์เมื่อเทียบกับ 0.6 โวลต์สำหรับไดโอด a-Si เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพนี้พวกเขาได้รับการออกแบบในลักษณะที่แตกต่างกันเพื่อเปรียบเทียบกับไดโอดปกติที่มีหน้าสัมผัสโลหะกับเซมิคอนดักเตอร์ ไดโอดเหล่านี้ใช้กันอย่างแพร่หลายในแอพพลิเคชั่นวงจรเรียงกระแสไดโอดแคลมป์และในแอพพลิเคชั่น RF

ชอตกี้ไดโอด

ขั้นตอนการกู้คืนไดโอด

ไดโอดกู้คืนขั้นตอนเป็นไดโอดไมโครเวฟชนิดหนึ่งที่ใช้สร้างพัลส์ที่ HF มาก (ความถี่สูง) ไดโอดเหล่านี้ขึ้นอยู่กับไดโอดซึ่งมีลักษณะการปิดที่เร็วมากสำหรับการทำงาน

ขั้นตอนการกู้คืนไดโอด

ไดโอดอุโมงค์

ไดโอดอุโมงค์ใช้สำหรับการใช้งานไมโครเวฟที่มีประสิทธิภาพเหนือกว่าอุปกรณ์อื่น ๆ ในปัจจุบัน

ไดโอดอุโมงค์

ในโดเมนไฟฟ้าการขุดอุโมงค์หมายถึงการเคลื่อนที่โดยตรงของอิเล็กตรอนผ่านความกว้างน้อยที่สุดของพื้นที่พร่องจากแถบการนำไฟฟ้าไปยังแถบวาเลนซี ในไดโอดทางแยก PN พื้นที่พร่องได้รับการพัฒนาเนื่องจากมีทั้งอิเล็กตรอนและโฮล เนื่องจากตัวพาที่มีประจุบวกและลบเหล่านี้สนามไฟฟ้าภายในจึงได้รับการพัฒนาในบริเวณพร่อง สิ่งนี้ทำให้เกิดแรงในเส้นทางตรงข้ามของแรงดันไฟฟ้าภายนอก

ด้วยเอฟเฟกต์การสร้างอุโมงค์เมื่อมีค่าแรงดันไปข้างหน้าน้อยที่สุดค่ากระแสไปข้างหน้าจะมากขึ้น สามารถทำงานได้ทั้งในสภาวะเอนเอียงไปข้างหน้าและย้อนกลับ เพราะระดับสูงของ ยาสลบ มันสามารถทำงานในการให้น้ำหนักย้อนกลับได้เช่นกัน ด้วยการลดลงของศักยภาพของอุปสรรค แรงดันไฟฟ้าเสีย ในทิศทางกลับกันจะลดลงและเกือบถึงศูนย์ ด้วยแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับที่น้อยที่สุดไดโอดอาจถึงสภาพพังทลาย เนื่องจากพื้นที่แนวต้านเชิงลบนี้ก่อตัวขึ้น

Varactor Diode หรือ Varicap Diode

ไดโอด varactor เป็นประเภทหนึ่ง สารกึ่งตัวนำ อุปกรณ์โซลิดสเตตไมโครเวฟและใช้ในกรณีที่เลือกความจุตัวแปรซึ่งสามารถทำได้โดยการควบคุมแรงดันไฟฟ้า ไดโอดเหล่านี้เรียกอีกอย่างว่าไดโอดตัวแปร แม้ว่าจะสามารถแสดงค่า o / p ของความจุตัวแปรได้โดยไดโอด PN-Junction ปกติ แต่ไดโอดนี้ถูกเลือกเพื่อให้ความจุที่ต้องการเปลี่ยนแปลงเนื่องจากเป็นไดโอดประเภทต่างๆ ไดโอดเหล่านี้ได้รับการออกแบบและปรับปรุงอย่างแม่นยำเพื่อให้สามารถเปลี่ยนแปลงค่าความจุได้สูง

ไดโอด Varactor

ซีเนอร์ไดโอด

ซีเนอร์ไดโอดใช้เพื่อให้แรงดันอ้างอิงที่เสถียร เป็นผลให้ใช้ในปริมาณมหาศาล ทำงานภายใต้สภาวะอคติย้อนกลับและพบว่าเมื่อถึงแรงดันไฟฟ้าเฉพาะจะพังลง ถ้าการไหลของกระแสถูก จำกัด โดยตัวต้านทานมันจะเปิดใช้งานแรงดันไฟฟ้าที่เสถียรเพื่อสร้างขึ้น ไดโอดประเภทนี้ใช้กันอย่างแพร่หลายเพื่อเสนอแรงดันไฟฟ้าอ้างอิงในอุปกรณ์จ่ายไฟ

ซีเนอร์ไดโอด

มีหลายวิธีในแพ็คเกจของซีเนอร์ไดโอด มีเพียงไม่กี่คนที่ใช้เพื่อเพิ่มระดับการกระจายพลังงานในขณะที่คนอื่นใช้สำหรับการออกแบบตัวยึดขอบ ทั่วไป ประเภทของซีเนอร์ไดโอด ประกอบด้วยกระจกน้อยที่สุด ไดโอดนี้มีแถบที่ขอบด้านหนึ่งซึ่งทำเครื่องหมายว่าเป็นแคโทด

ซีเนอร์ไดโอดทำงานในลักษณะเดียวกับไดโอดเมื่อทำงานในสภาพไบแอสการส่งต่อ ในขณะที่อคติย้อนกลับจะเกิดขึ้นน้อยที่สุด กระแสไฟรั่ว . เมื่อมีการเพิ่มขึ้นของแรงดันย้อนกลับจนถึงแรงดันการสลายสิ่งนี้จะสร้างกระแสไหลข้ามไดโอด ค่าปัจจุบันจะถึงสูงสุดและถูกจับโดยตัวต้านทานแบบอนุกรม

การใช้งานของ Zener Diode

มีการใช้งานซีเนอร์ไดโอดอย่างกว้างขวางและบางส่วน ได้แก่ :

• ใช้เป็นตัว จำกัด แรงดันไฟฟ้าเพื่อควบคุมระดับแรงดันไฟฟ้าในค่าต่ำสุดของโหลด
• ใช้ในการใช้งานที่ต้องการการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน
• ใช้ใน ตัดวงจร

ไดโอดประเภทอื่น ๆ ที่นำมาใช้อย่างมีนัยสำคัญในแอพพลิเคชั่นต่างๆมีดังนี้:

• เลเซอร์ไดโอด
• โอดถล่ม
• ไดโอดปราบปรามแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว
• ไดโอดชนิดเจือทอง
• ประเภทของไดโอดคงที่ในปัจจุบัน
• Peltier Diode
• วงจรเรียงกระแสที่ควบคุมด้วยซิลิคอน ไดโอด

ไดโอดทุกตัวมีประโยชน์และการใช้งานในตัวเอง มีเพียงไม่กี่ตัวเท่านั้นที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชันต่างๆในหลายโดเมนในขณะที่มีเพียงไม่กี่แอปพลิเคชันเท่านั้น ดังนั้นนี่คือข้อมูลเกี่ยวกับไดโอดประเภทต่างๆและการใช้งาน เราหวังว่าคุณจะมีความเข้าใจที่ดีขึ้นเกี่ยวกับแนวคิดนี้หรือในการดำเนินโครงการไฟฟ้าโปรดให้คำแนะนำที่มีค่าของคุณโดยการแสดงความคิดเห็นในส่วนความคิดเห็นด้านล่าง นี่คือคำถามสำหรับคุณ อะไรคือ ฟังก์ชันของไดโอด เหรอ?